Półprzewodnik nadprzewodnikiem

29 maja 2009, 12:12

Uczonym z Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD) udało się, po raz pierwszy w historii, zmusić german do wykazania właściwości nadprzewodnika. Większość substancji chemicznych staje się nadprzewodnikami w bardzo niskich temperaturach lub pod bardzo wysokim ciśnieniem.



Kolejna inwestycja IBM-a

10 lipca 2014, 14:00

IBM ma zamiar wydać w ciągu najbliższych pięciu lat 3 miliardy dolarów na prace badawczo-rozwojowe nad półprzewodnikami. Pieniądze zostaną przeznaczone na kilka programów badawczych.


Uporządkowane kryształy po użyciu chemikaliów

Samoorganizujący się tranzystor organiczny

5 marca 2008, 18:54

Naukowcy z National Institute of Standards and Technology (NIST), Penn State University i University of Kentucky opracowali technologię szybkiego i prostego wykorzystania organicznego półprzewodnika do tworzenia matryc wysoko wydajnych tranzystorów. Dzięki temu odkryciu w przyszłości mogą powstać duże, elastyczne układy elektroniczne.


Rzeźbienie złotem w półprzewodnikach

4 stycznia 2016, 12:00

Badacze z Narodowego Instytutu Standardów i Technologii (NIST) oraz IBM-a odkryli, że nanocząstki złota mają zdolność do samoistnego tworzenia nanokanalików, co może pozwolić na budowę samoistnie organizujących się układów typu lab-on-a-chip


TSMC zapowiada szerokie wdrożenie EUV

15 lipca 2016, 11:24

Największy na świecie producent półprzewodników, TSMC, oświadczył, że ma na szeroką skalę wykorzystywać ekstremalnie daleki ultrafiolet (EUV). Sądzimy, że EUV do roku 2020 stanie się opłacalna przy masowej produkcji. Planujemy wówczas wdrożenie technologii 5 nanometrów


Chiny zainwestują w półprzewodniki

27 marca 2014, 07:58

Chiński przemysł IT żyje plotką, wedle której władze centralne i lokalne mają zamiar zainwestować kolosalne kwoty w przemysł półprzewodnikowy. Plotka ma wiele wersji, w których pojawiają się kwoty od 20 do 200 miliardów dolarów.


Chiny wyrastają na półprzewodnikową potęgę

16 grudnia 2016, 08:42

Chiński rząd kładzie solidne podstawy pod uczynienie z Państwa Środka półprzewodnikowej potęgi. SEMI, grupa skupiająca dostawców materiałów i urządzeń dla przemysłu półprzewodnikowego, informuje, że ponad 40% fabryk, jakie zostaną uruchomione w latach 2017-2020, będzie znajdowało się w Chinach


Inżynier IBM-a sprawdza 300-milimetrowy plaster z układami CMOS© IBM

TSMC wyda 10 miliardów na fabrykę?

15 grudnia 2010, 11:34

TSMC zamierza ponoć wybudować kolejną gigantyczną fabrykę półprzewodników. Zakład Fab 16 ma kosztować 10 miliardów dolarów, a prace nad nim rozpoczną się w 2014 roku. Fabryka podwoi możliwości produkcyjne TSMC.


Laser dla komputerów optycznych

7 sierpnia 2012, 13:57

Gdy już jest taki cienki, to bardzo łatwo można umieścić go na chipie - powiedział profesor Zhenqiang Ma o wyjątkowym laserze. Najnowsze dzieło amerykańskich specjalistów może zrewolucjonizować informatykę, pozwalając na znacznie szybszy transfer danych pomiędzy poszczególnymi elementami komputera.


Nadchodzi azotek galu

29 lipca 2015, 14:23

Nie grafen czy molibdenit, ale azotek galu (GaN) będzie prawdopodobnie tym materiałem, który w najbliższym czasie zastąpi krzem w roli podstawowego półprzewodnika. W 2013 roku amerykański Departament Energii przeznaczył niemal 70 milionów dolarów na badania nad GaN. Urzędnicy z DoE uzasadniali swoją decyzję tym, że wykorzystanie tego materiału może pomóc w zredukowaniu zapotrzebowania na energię