Toshiba zapowiada 64-warstwowe 3D NAND

20 lipca 2016, 10:58

Toshiba ogłosiła, że w trzecim kwartale bieżącego roku rozpocznie produkcję pierwszych 64-warstwowych układów 3D NAND. To wyzwanie rzucone Samsungowi, który podobne układy będzie produkował kwartał później.



Powstał najcieńszy możliwy izolator

5 listopada 2010, 11:45

Tegoroczni laureaci Nagrody Nobla, odkrywcy grafenu Kostya Novoselov i Andre Geim, stworzyli najcieńszy izlolator na świecie. Fluorografen powstał na bazie grafenu, jednak w przeciwieństwie do niego nie przewodzi prądu.


Pokonali ostatnią przeszkodę. Czas na masową produkcję EUV

14 lipca 2017, 13:21

Trwało to dłużej i kosztowało więcej, niż ktokolwiek się spodziewał, ale w końcu prace nad litografią w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV) mają się ku końcowi. Podczas targów Semicon West holenderska firma ASML ogłosiła, że udało się jej stworzyć 250-watowe źródło światła dla EUV


Krótki impuls wywołuje lawinę ekscytonów

23 grudnia 2011, 07:00

Artykuł, opublikowany w Nature Communications przez Hidekiego Hiroriego, zapowiada przełom w budowie urządzeń wykorzystujących tranzystory.


Laser dla komputerów optycznych

7 sierpnia 2012, 11:57

Gdy już jest taki cienki, to bardzo łatwo można umieścić go na chipie - powiedział profesor Zhenqiang Ma o wyjątkowym laserze. Najnowsze dzieło amerykańskich specjalistów może zrewolucjonizować informatykę, pozwalając na znacznie szybszy transfer danych pomiędzy poszczególnymi elementami komputera.


Selenek cynku udoskonali światłowody i lasery

26 lutego 2011, 13:20

Profesor John Badding i jego zespół z Penn State University stworzyli pierwszy światłowód wykorzystujący selenek cynku. Materiał ten pozwala na bardziej efektywne i swobodne manipulowanie światłem. Wdrożenie nowej technologii umożliwi udoskonalenie laserów, czujników i światłowodów.


Inżynier IBM-a sprawdza 300-milimetrowy plaster z układami CMOS© IBM

Intel nie widzi problemu

23 lutego 2015, 13:14

Przedstawiciele Intela uważają, że Prawo Moore'a będzie obowiązywało jeszcze przez kilka kolejnych lat. Podczas zbliżającej się International Solid-State Circuits Conference zaprezentują oni kilka odczytów dotyczących przyszłego rozwoju półprzewodników. Już teraz zdradzili, że ich zdaniem technologia 7 nm (która ma zadebiutować w 2018 roku), nie będzie wymagała wykorzystania dalekiego ultrafioletu.


Trwają prace nad hybrydowym półprzewodnikiem

20 grudnia 2007, 11:30

Hybrydowy półprzewodnik może posłużyć w przyszłości do stworzenia układów scalonych wyjątkowo odpornych na wysokie temperatury. Badacze z Narodowego Laboratorium Energii Odnawialnej (National Renewable Energy Laboratory – NREL) i Argonne National Laboratory przedstawili wyniki swoich badań nad półprzewodnikiem, który nie rozszerza się pod wpływem ciepła (zero thermal expansion – ZTE).


Wysokotemperaturowy laser na CMOS przyda się w telekomunikacji

7 sierpnia 2017, 10:50

Naukowcy z amerykańskiego Nanophotonics Lab na Arizona State University oraz chińskiego Tsinghua University w Pekinie stworzyli laser komunikacyjny na układzie CMOS, który jest pierwszym tego typu urządzeniem pracującym w temperaturze pokojowej


Półprzewodniki i komputery kwantowe dzięki fullerenom?

12 września 2008, 09:56

Profesor Harry Dorn z Virginia Tech to światowej sławy specjalista zajmujący się badaniami nad fullerenami. Właśnie odkrył nową dziedzinę chemii tych związków, dzięki której być może zostaną użyte do obliczeń kwantowych i znajdą zastosowanie jako półprzewodniki.