Japońsko-amerykańska współpraca nad MRAM

| Technologia
IBM

Japońskie i amerykańskie firmy będą wspólnie pracowały nad układami MRAM - magnetorezystywnymi pamięciami o swobodnym dostępie. Mają one w niedalekiej przyszłości zastąpić powszechnie używany DRAM. MRAM łączą zalety pamięci dynamicznych i nieulotnych. Działają bardzo szybko, zużywają niewiele energii i pozwalają na przechowywanie danych po wyłączeniu zasilania.

Na czele grupy firm i instytucji stoją Micron Technology i Tokyo Electron. Współpracują z nimi Tohoku University, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics i Hitachi. Firmy obiecują, że rozpoczną masową produkcję MRAM przed rokiem 2018.

Prace nad MRAM trwają od lat. Rozwijają je wspólnie Toshiba i SK Hynix, własne prace prowadzi też Samsung Electrnics.

MRAM pamięci magnetorezystywne