Pamięć z węglowych nanorurek może zadebiutować w ciągu najbliższych miesięcy
Przed dwoma laty firma Nantero ogłosiła, że pamięci NRAM CNT (carbon nanotubes) są gotowe do produkcji i mogą być używane w układach system-on-a-chip. Teraz podczas konferencji Hot Chips 2018 poinformowano, że nowa technologia przeszła wszelkie testy świadczące o jej przydatności do produkcji masowej, a nowe kości mogą być używane jako nieulotna alternatywa dla układów DDR4.
Prace nad układami CNT rozpoczęto w 2001 roku, a w roku 2016 zaprezentowano 256 megabitowe układy i ogłoszono, że zadebiutują one w roku 2018 we współpracy z Fujitsu. Teraz dowiadujemy się, że Nantero jest gotowa do produkcji większych ilości układów, a kości będą dostępne od przyszłego roku.
Komórki pamięci korzystają z nanorurek umieszczonych na podłożu, na którym są kontrolowane za pomocą impulsów elektromagnetycznych. Nanorurki znajdują się pomiędzy dwiema elektrodami i, w zależności od tego czy są skrzyżowane czy nie, zmienia się oporność. Dzięki pomiarom oporności można określić dwa stany, reprezentujące 0 i 1. Gdy rurki się nie stykają, oporność jest wysoka, interpretowana jako 1. Gdy się stykają, oporność spada i interpretowana jest jako 0.
Nantero twierdzi, że tego typu rozwiązanie ma wiele zalet. Kości CNT są niezwykle wytrzymałe. Ich szacowany czas pracy w temperaturze pokojowej to 10 000 lat. Wydajność zaś powinna dorównywać wydajności układów DD4. To zaś, w połączeniu z nieulotnością sprawia, ze są konkurencyjne wobec rozwiązań 3D XPoint i NAND Flash.
Fujitsu oświadczyło, że ma zamiar doprowadzić do rynkowego debiutu NRAM. Nie wiadomo, kiedy to się tanie, gdyż pozostały jeszcze pewne problemy do rozwiązania. W najbliższym czasie przekonamy się, że firma spełni swoja zapowiedź sprzed dwóch lat i przed końcem bieżącego roku zadebiutuje 256-megabitowy układ.
Nintero określa się jako firmę ARM, co oznacza, że będzie udzielała licencji na swoje układy, ale sama nie ma zamiaru ich produkować. Wiadomo, że obecnie gotowe są też projekty 8- i 16-gigabitowych układów składających się z, odpowiednio, 2 i 4 warstw, które mogą być wytwarzane w procesie 28 nanometrów. Firma za zamiar opracować projekt 8-warstwowych 512-gigabitowych układów produkowanych w procesie 7 nanometrów, jednak przygotowanie takiego projektu może zająć wiele lat.
Komentarze (0)