80-nanometrowe DRAM-y

Samsung pokazał pierwsze pierwsze 1-gigabitowe układy DRAM wykonane w technologii 80 nanometrów. To kolejne osiągnięcie koreańskiej firmy na polu układów pamięci.

W październiku firma zaprezentowała prototypy 50-nanometrowych kiości, a w listopadzie nową obudowę MCP mieszczącą 16 kości.

Nowe 1-gigabitowe DRAM-y umożliwią wykonanie układów o pojemności 512 megabajtów o 20% cieńszych niż obecnie budowane układy. Kości takie pobierają ponadto o 30% mniej energii niż ich poprzednicy.

Ich masowa produkcja zostanie uruchomiona w drugim kwartale przyszłego roku.

Samsung DRAM układy pamięci