FeDRAM - nowy pomysł na pamięci
13 sierpnia 2009, 11:47Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash. Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.
Bankrut lepszy od kupca
28 maja 2012, 11:57Zbankrutowana Elpida Memory, producent kości pamięci DRAM, zanotowała bardzo dobry ostatni kwartał. Bankrut stał się 3. największym producentem DRAM, wyprzedzając Microna, firmę, która lada chwila kupi Elpidę.
Intel pokaże pamięci PRAM
16 kwietnia 2007, 10:10Justin Rattner, główny technolog Intela, ma dokonać w bieżącym tygodniu pierwszej publicznej demonstracji działania intelowskich pamięci zmiennofazowych (PRAM – phase-change RAM). Pokaz będzie miał miejsce podczas odbywającego się właśnie Intel Developer Forum (IDF).
Samsung boi się o swoją pozycję
29 kwietnia 2007, 09:36Samsung, od lat lider rynku układów pamięci, zanotował rekordowo niski poziom sprzedaży. Firma wciąż posiada największe udziały na rynku, ale konkurencja jest niebezpiecznie blisko.
OCZ zaprzestanie produkcji kości DRAM
13 stycznia 2011, 11:44Firma OCZ Technology ogłosiła, że z końcem lutego wycofa się z rynku układów pamięci DRAM. Rynek ten przeżywa obecnie kryzys, a OCZ woli skupić się produkcji SSD.
18-nanometrowe DRAM już w przyszłym roku
29 grudnia 2015, 10:37Samsung, Micron i SK Hynix rozpoczną w przyszłym roku produkcję układów DRAM w procesie 18 nanometrów. Samsung już zakończył prace nad procesem 1X-nano D-RAM i obecnie weryfikuje możliwości masowej produkcji w tej technologii
Elpida chce zbankrutować
27 lutego 2012, 12:08Elpida Memory, trzeci co do wielkości producent układów DRAM, złożył w tokijskim sądzie wniosek o upadłość. Zadłużenie firmy sięgnęło 5,5 miliarda dolarów.
Materiały zmiennofazowe mogą zastąpić krzem
19 września 2014, 19:24Ograniczenia wielkości oraz prędkości współczesnych procesorów i układów pamięci można pokonać zastępując krzem materiałami zmiennofazowymi (PCM). Materiały takie są w stanie w ciągu miliardowych części sekundy zmieniać swoją strukturę pomiędzy przewodzącą krystaliczną a nieprzewodzącą amorficzną
Kolosalny wzrost zysku SK Hynix
25 lipca 2017, 09:37Południowokoreański producent układów scalonych SK Hynix poinformował, że w drugim kwartale jego zysk netto zwiększył się aż 9-krotnie. Za świetne wyniki finansowe odpowiadała świetna sprzedaż chipów DRAM i NAND
Z Samsunga do więzienia
22 grudnia 2006, 14:21Kolejny menedżer Samsunga powędruje do więzienia w związku z oskarżeniami o konspirację w celu ustalania cen na układy DRAM. Young Hwan Park, były wiceprezes ds. sprzedaży w Samsungu został uznany winnym zarzucanych mu czynów i skazany na 10 miesięcy więzienia oraz 250 tysięcy dolarów grzywny.
