Ostateczna wersja standardu DDR4
26 września 2012, 12:04Opublikowano ostateczną wersję standardu pamięci DDR4. Zmienia on sposób odczytywania i zapisywania danych, zwiększa przepustowość i częstotliwość pracy zegara, przyspieszając dzięki temu pracę przyszłych układów pamięci ulotnej.
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD
Tańsze kości flash
3 grudnia 2007, 10:14Firma iSuppli informuje o wzroście sprzedaży pamięci flash typu NAND. W związku z rosnącym zapotrzebowaniem na elektronikę użytkową, w trzecim kwartale bieżącego roku sprzedano o 37% więcej układów NAND niż w drugim kwartale.
Nowe gwiazdy na wyciągnięcie ręki
12 marca 2013, 11:24Astronomowie z Penn State University informują o odkryciu jednego z najbliższych znanych układów gwiazd. Od 1916 roku nie znaleziono bliżej położonej gwiazdy. Odkrycia dokonał profesor Kevin Luhman z Penn State Center for Exoplanets and Habitable Worlds.
Ponad 100-godzinny rezonans magnetyczny zapewnił najbardziej jak dotąd szczegółowy obraz mózgu
9 lipca 2019, 10:54Dzięki ponad 100-godzinnemu skanowaniu w aparacie do rezonansu magnetycznemu uzyskano najbardziej jak dotąd szczegółowy obraz 3D ludzkiego mózgu. Naukowcy podkreślają, że rozdzielczość jest tak doskonała, że na obrazie można potencjalnie dostrzec obiekty o średnicy poniżej 0,1 mm. Wideo i dane są publicznie dostępne.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Graph500 czyli superkomputery w praktyce
19 czerwca 2013, 05:15Chiński Tianhe 2 znalazł się na czele listy najpotężniejszych superkomputerów świata, ale na liście Graph500 nie zmieścił się w pierwszej piątce. Maszyna z Państwa Środka najszybciej na świecie wykonuje operacje zmiennoprzecinkowe, ale ustępuje innym komputerom w wielu praktycznych zastosowaniach polegających na wyszukiwaniu informacji w gigantycznych bazach danych.
W USA powstaną kolejne fabryki półprzewodników. Pierwsze efekty CHIPS and Science Act
15 maja 2023, 08:15Amerykańska ustawa CHIPS and Science Act, która wywołała spory między USA a Unią Europejską, przynosi pierwsze efekty. Jej celem jest m.in. zachęcenie do budowy w USA nowych fabryk półprzewodników. Firmy mogą liczyć na ulgi podatkowe czy dopłaty. Przeznaczono na ten cel 39 miliardów USD i najwyraźniej zachęciło to gigantów. Micron zapowiedział, że zainwestuje do 100 miliardów dolarów w nową fabrykę w stanie Nowy Jork, TMSC – który buduje wartą 12 miliardów USD fabrykę w Arizonie – wybuduje drugi zakład, zwiększając wartość inwestycji do 40 miliardów, Samsung chce za 17 miliardów wybudować fabrykę w Teksasie, a Intel rozpoczął wartą 20 miliardów USD inwestycję w dwie fabryki w Ohio.
Wkrótce pojawią się 25-nanometrowe układy
1 lutego 2010, 11:52Założona przez Intela i Microna spółka IM Flash Technologies poinformowała o gotowości do produkcji 25-nanometrowych układów NAND. To najmniejszy proces produkcyjny wykorzystywane we współczesnym przemyśle półprzewodnikowym.
Japońsko-amerykańska współpraca nad MRAM
25 listopada 2013, 09:13Japońskie i amerykańskie firmy będą wspólnie pracowały nad układami MRAM - magnetorezystywnymi pamięciami o swobodnym dostępie. Mają one w niedalekiej przyszłości zastąpić powszechnie używany DRAM
