Intel o trójbramkowym tranzystorze

Intel poinformował, że jego trójbramkowy tranzystor będzie gotowy do produkcji w ciągu najbliższych lat i zostanie wykorzystany przy przejściu na 32- lub 22-nanometrowy proces produkcyjny. Intel połączył trzy kluczowe elementy – trójbramkowy tranzystor, materiał z wysoką stałą dielektryczną oraz rozciągnięty krzem – co pozwoliło na osiągnięcie rekordowej wydajności tranzystora. Dzięki temu Prawo Moore'a zachowa ważność w następnej dekadzie – powiedział Mike Mayberry, wiceprezes Intela i dyrektor wydziału badań nad komponentami.

Przedstawiciele koncernu już wcześniej sygnalizowali, że poniżej granicy 30 nanometrów obecnie wykorzystywane tranzystory o pojedynczej bramce odznaczają się nieakceptowalnie dużymi stratami mocy.

Tradycyjne tranzystory planarne (płaskie) zostały wynalezione w latach 50. ubiegłego wieku i stanowią podstawowy element układu scalonego. W miarę postępów miniaturyzacji konieczna okazała się zmiana geometrii tranzystora z dwu- na trójwymiarową. Dlatego też rozpoczęto prace nad tranzystorem trójbramkowym. Tego typu tranzystor korzysta z nowatorskiej, trójwymiarowej struktury bramki, przypominającej wzniesienie z pionowymi ścianami, co pozwala przesyłać sygnały elektryczne po górnej powierzchni bramki i wzdłuż obu ścian. W rezultacie trzykrotnie zwiększa się przestrzeń dostępna dla sygnałów elektrycznych – jak po przebudowie jednopasmowej drogi w trójpasmową autostradę – choć tranzystor nie zajmuje więcej miejsca. Dzięki temu tranzystor trójbramkowy jest znacznie wydajniejszy od obecnych planarnych (płaskich) tranzystorów.

Zastosowanie tranzystorów trójbramkowych przy obecnym, 65-nanometrowym procesie produkcyjnym, oznaczałoby 45-procentowy wzrost prędkości przy spadku poboru energii o 35 procent.

Intel trójbramkowy tranzystor