FeRAM bliżej upowszechnienia
Amerykańscy naukowcy dokonali ważnego kroku na drodze do opracowania wydajnych, wytrzymałych, nieulotnych pamięci RAM. Rozpowszechnienie się tanich kości tego typu pozwoliłoby np. na błyskawiczne uruchomienie komputera czy rezygnację z tradycyjnego dysku twardego, gdyż dane przechowywane byłyby w układach pamięci.
Mowa tutaj o ferroelektrycznych pamięciach o swobodnym dostępie (FeRAM - Ferroelectric Random Access Memory). To nieulotne układy wykorzystujące materiał ferroelektryczny w roli kondensatora przechowującego dane. FeRAM posiadają zalety pamięci RAM i ROM. Zapewniają szybki dostęp do danych, dużą wytrzymałość, charakteryzują się niskim zapotrzebowaniem na energię elektryczną i przechowują dane po odłączeniu zasilania.
W obecnie stosowanych układach FeRAM wykorzystuje się cyrkoniano-tytanian ołowiu (PZT). To drogi materiał, który zapewnia jedynie niewielką gęstość zapisu. Dlatego też FeRAM spotykamy przeważnie w wymagających mało energii i oferujących niewielką pojemność urządzeniach, które muszą charakteryzować się duża wytrzymałością, takich jak np. karty chipowe.
Amerykańska Narodowa Fundacja Nauki sfinansowała prace grupy, którą kierował Darrell Schlom z Cornell University. W jej skład weszli m.in. naukowcy z NASA, Motoroli i Intela. Udało im się opracować nowy materiał ferroelektryczny dla układów FeRAM. Osiągnęli to poprzez naniesienie tytanianu strontu na krzem. Na razie specjaliści pokazali, że materiał ma właściwości ferroelektryczne i że można go wykorzystać do budowy układów pamięci. Sam Schlom przyznaje jednak, że pozostało jeszcze sporo do zrobienia.
Komentarze (0)