Samsung zaprezentował pamięci PRAM
Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania. Koreańska firma twierdzi, że działają one około 30-krotnie szybciej niż kości flash.
Układy PRAM będą o około 50% mniejsze niż kości NOR. Ponadto ich proces produkcyjny składa się z 20% mniej etapów, niż proces, w którym powstają pamięci NOR.
Pierwsze moduły PRAM trafią na rynek w 2008 roku. Na razie Samsung zaprezentował prototypowy układ o pojemności 512 megabitów.
Pojedyncza komórka pamięci PRAM zbudowana jest z diod i trójwymiarowej struktury tranzystorów. Samsung informuje też, że pojedyncza komórka pamięci PRAM ma powierzchnię jedynie 0,0467 mikrometra kwadratowego, a więc jest obecnie najmniejszą powierzchnią zdolną do przechowywania informacji, w której sąsiadujące ze sobą komórki nie zakłócają się wzajemnie.
Dodatkową zaletą PRAM jest fakt, że przeciwieństwie do używanych obecnie układów flash, stare dane nie muszą zostać najpierw wykasowane, by można było zapisać nowe informacje.
Komentarze (0)