W jedności siła
Samsung i Hynix zawarły porozumienie, którego celem jest opracowanie układów pamięci przyszłej generacji. Obie firmy zainwestują w sumie 9,46 milionów dolarów, a ich prace będą częścią większego programu wspieranego przez rząd Korei Południowej.
Siedmioletni program rozpoczął się w 2004 roku. Kosztem 52,58 miliarda wonów mają powstać pamięci SST-MRAM (spin torque transfer MRAM), które do zapisywania danych wykorzystują spin elektronów, oraz inne urządzenia.
Koreańczycy uważają, że ich firmy muszą ze sobą współpracować, by pokonać japońską konkurencję. Toshiba, NEC i Fujitsu również chcą wspólnie opracować układy STT-MRAM. Jeśli wyprzedzą Koreańczyków i ich technologia się rozpowszechni, to koreańskie firmy będą musiały płacić olbrzymie sumy za licencje. Obecnie wydają setki milionów dolarów za prawo do wykorzystywania technologii DRAM czy NAND flash.
Komentarze (0)