Grafen o krok bliżej

Wynaleziony przed kilku laty grafen ma niezwykle interesujące właściwości elektroniczne oraz pewną poważną wadę. Nie występuje w nim pasmo wzbronione, zatem nie jest możliwe wyłączenie przepływu prądu. Przez to nie nadaje się do zastosowań w elektronice, gdzie operacje logiczne wykonuje się dzięki włączaniu i wyłączaniu przepływu elektronów. Próbowano sobie radzić z tym problemem tworząc pasmo wzbronione w grafenie, jednak znacząco zmniejszało to  mobilność elektronów. A to właśnie m.in. fakt, że elektrony poruszają się w nim setki razy szybciej niż w krzemie czyni go niezwykle obiecującym materiałem.

Samsung poinformował właśnie, że Samsung Advanced Institute of Technology opracował sposób na rozwiązanie tego problemu. Koreańscy naukowcy postanowili zmienić podstawy działania przełączników i pokazali grafenowo-krzemowe urządzenie, w którym przełączniki działają dzięki manipulacji wysokością bariery Schottky’ego. Nowe urządzenie zostało nazwane barristorem. Pracownicy Samsunga zademonstrowali działającą w ten sposób bramkę NOT i półsumator logiczny.

Bariera Schottky’ego, która powstaje na styku metalu i półprzewodnika blokuje albo dziury, albo elektrony. Gdy zablokowane są elektrony, dziury przepływają i mamy do czynienia z tranzystorem typu p. Nieco inne napięcie spowoduje, że zablokowane zostaną dziury, a możliwy będzie ruch elektronów.

Badania Samsunga przybliżają nas do pojawienia się grafenu w codziennej elektronice. Jednak, jak zauważają analitycy, na ten dzień będziemy musieli poczekać jeszcze kilka lat.