Iryd nadzieją dla pamięci flash

Uczeni z Tajwanu proponują, by do budowy układów pamięci flash wykorzystać jeden z najrzadszych metali - irydu. Pozwoliłoby to zwiększyć prędkość pracy i gęstość zapisu.

Włączenie nanokryształów irydu w główne części bramek układów flash pozwala na osiągnięcie zarówno świetnych właściwości samych pamięci jak i poprawia stabilność w wysokich temperaturach w jakich są przetwarzane urządzenia półprzewodnikowe - stwierdził Wen-Shou Tseng, który kieruje pracami zespołu badawczego z Tajwańskiego Centrum Standardów.

Tajwańczycy wybrali do swoich badań iryd, gdyż z jednej strony mocno wiąże elektrony, a z drugiej topi się dopiero w temperaturze 2500 stopni Celsjusza. Wiele układów scalonych jest podczas produkcji poddawanych temperaturom rzędu 900 stopni, a zatem nie ma obawy, że iryd nie przetrwa przetwarzania.

Mimo, że iryd jest niezwykle rzadki, nie powinniśmy obawiać się, że produkcja pamięci flash może wyczerpać jego zasoby.  Do każdej bramki wystarczy jedna trylionowa (10¹⁸) część grama.

Propozycja Tajwańczyków może być najprostszym rozwiązaniem problemów, z którymi borykają się producenci układów flash. Chcąc zwiększyć ich pojemność oraz prędkość pracy, muszą coraz bardziej miniaturyzować poszczególne elementy. Jednak wkrótce nie będzie możliwe dalsze zmniejszanie bramek, gdyż nie będą w stanie przechowywać ładunku elektrycznego. Wykorzystanie irydu to być może najprostszy sposób na dalszy postęp technologiczny pamięci flash. W innym wypadku niewykluczone, że konieczne będzie zmiana architektury bramki.

iryd bramka nanokryształy pamięć flash Wen-Shou Tseng