Mały Hynix

| Technologia

Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.

Urządzenie pracuje z zegarem o częstotliwości 200 megaherców i jest w stanie przetworzyć 1,6 gigabita danych w ciągu sekundy. Jego wymiary to 8x10 milimetrów.

Hynix chce zamknąć tego typu układy DRAM oraz kości NAND Flash w jednej obudowie, co pozwoli na stworzenie mniejszych telefonów komórkowych.

Hynix Semiconductor DRAM NAND flash telefon komórkowy pamięć