Przezroczysta elastyczna bateria
26 marca 2007, 09:54Japońscy naukowcy z Waseda University opracowali polimerową baterię, która może wytrzymać 1000 cykli ładowania. Bateria ma grupość jedynie 200 nanometrów, jest przezroczysta i elastyczna.
Intel pracuje nad procesorem UMPC
24 marca 2007, 10:44Intel pracuje nad procesorem dla platform UMPC. Dla konstruktorów przenośnych komputerów typu Ultra-mobile PC (UMPC) największy problem jest czas pracy na bateriach, dlatego też wyjątkowo ważne jest by jeden z najbardziej prądożernych elementów maszyny – procesor – zużywał jak najmniej mocy.
Sposób na przyspieszenie działania pamięci magnetycznych
18 marca 2007, 09:57Naukowcy z Jülich w Niemczech odkryli nową metodę przełączania stanów magnetycznych. Ten najszybszy znany nam sposób przełączania uzyskiwany jest za pomocą zewnętrznego pola magnetycznego. Może on posłużyć do budowy nowych urządzeń pamięci masowej.
Samsung prezentuje 8-gigabajtową kartę pamięci
13 marca 2007, 11:28Samsung jest producentem pierwszej na świecie 8-gigabajtowej karty pamięci dla urządzeń przenośnych. Koreańska firma zapewnia, że urządzenie "moviNAND” przetwarza dane dwukrotnie szybciej niż konkurencyjne karty o pojemności 4 GB.
Cell w technologii 65 nanometrów
13 marca 2007, 11:16IBM informuje o rozpoczęciu produkcji układów Cell BE w technologii 65 nanometrów. Kości powstają w fabryce w East Fishkill w stanie Nowy Jork.
Nvidia szykuje GPU z eDRAM
7 marca 2007, 10:34TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) i Nvidia ogłosiły, że powstały już pierwsze w pełni działające próbki procesora graficznego z wbudowaną pamięcią DRAM. Szczegółów GPU nie ujawniono, jednak sam fakt jego wyprodukowania wskazuje na rosnące zainteresowanie technologią eDRAM.
LGA 1366 czyli Socket B
5 marca 2007, 11:05Producenci płyt głównych poinformowali nieoficjalnie, że Intel przygotował specyfikację VRM (Voltage Regulator Module) dla przyszłych procesorów, które będą współpracowały z podstawką LGA 1366. Tego typu układy będą nosiły nazwę kodową Bloomfield.
Ruszyła masowa produkcja 60-nanometrowych kości DRAM
4 marca 2007, 11:23Samsung Electronics rozpoczął masową produkcję pierwszych w historii 1-gigabitowych kości DDR2 wykonanych w technologii 60 nanometrów. Wdrożenie nowego procesu technologicznego oznacza 40% wzrost wydajności produkcji w porównaniu z technologią 80 nanometrów.
Czwarte 45 nanometrów Intela
27 lutego 2007, 11:28W Rio Rancho w Nowym Meksyku powstanie czwarta fabryka Intela, w której będą produkowane 45-nanometrowe układy scalone. Półprzewodnikowy gigant ma zamiar przebudować już istniejący tam zakład Fab 11X, korzystający z technologii 90 nanometrów.
GDDR4 z 4-gigahercowym zegarem
23 lutego 2007, 11:23Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) Samsung pokazał układy GDDR4 taktowane zegarem o częstotliwości 4 GHz. Kości są o około 40% szybsze niż obecnie stosowane GDDR4, do pracy potrzebują jednak więcej mocy.
