Kolejny pomysł na RAM przyszłości
22 kwietnia 2010, 11:38Zespół naukowców z Francji, Niemiec i USA opracował nowy sposób na nieulotne przechowywanie danych. Metodę nazwali magnetyczną pamięcią wirową kontrolowaną częstotliwością.
Rewolucyjny hybrydowy układ pamięci
24 stycznia 2011, 11:59Uczeni stworzyli hybrydowe urządzenie, które może działać jak pamięć ulotna oraz nieulotna i być wykorzystywana w roli głównej pamięci komputera.
FeTRAM, kolejny konkurent dla pamięci flash
3 października 2011, 15:54Na Purdue University powstaje nowy rodzaj układów pamięci, które mają być szybsze od obecnie istniejących rozwiązań, a jednocześnie zużywać znacznie mniej energii niż kości flash. Pamięci łączą krzemowe nanokable z polimerem „ferroelektrycznym", który zmienia polaryzację pod wpływem pola elektrycznego.
Elpida wyprodukowała ReRAM
25 stycznia 2012, 09:39Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
DNA jak pamięć nieulotna
22 maja 2012, 16:41Zajęło nam to trzy lata i wymagało 750 prób, ale w końcu się udało powiedział doktor Jerome Bonnet ogłaszając opracowanie metody wielokrotnego zapisywania, przechowywania i kasowania danych w DNA żywych komórek.
Superszybki SSD
16 czerwca 2012, 12:51Na japońskim Chuo University powstał prototypowy dysk SSD, który zapisuje dane 11-krotnie szybciej, pobiera o 93% mniej energii, a czas życia urządzenia jest 6,9 razy dłuższy niż konwencjonalnych SSD z układami NAND.
Nieulotna superpamięć
29 lipca 2015, 09:29Intel i Micron poinformowały o powstaniu technologii pamięci nieulotnej 3D Xpoint (3D Crosspoint). Pozwala ona na produkowanie układów pamięci, które działają 1000-krotnie szybciej od kości NAND. Na pojedynczej podstawce można zmieścić 128 gigabitów (16 gigabajtów)
Optyczne układy scalone mogą więcej
29 września 2015, 21:34Naukowcy zbudowali prototyp optycznego układu scalonego mogącego służyć jako pamięć trwała.
Pierwsza 3-bitowa pamięć zmiennofazowa
17 maja 2016, 12:00Naukowcy z IBM Research zaprezentowali pierwszy na świecie stabilny układ pamięci PCM (phase-change memory - pamięć zmiennofazowa), w którym można przechowywać 3 bity w komórce.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
