Napięcie udoskonala MeRAM
17 grudnia 2012, 11:02Inżynierowie z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Los Angeles (UCLA) zastąpili przepływ elektronów napięciem elektrycznym i dokonali w ten sposób znacznego udoskonalenia pamięci MeRAM (magnetoelektryczna pamięć o swobodnym dostępie). MeRAM może w przyszłości zastąpić obecnie stosowane technologie pamięci
Multiferroiczna pamięć działa w temperaturze pokojowej
23 grudnia 2014, 11:36Międzynarodowy zespół naukowy pracujący pod kierunkiem specjalistów z Cornell University stworzył działający w temperaturze pokojowej magneto-elektryczny układ pamięci. Urządzenia tego typu mogą w przyszłości posłużyć do wyprodukowania energooszczędnych urządzeń zawsze gotowych do pracy