Nadchodzi przełom? Polski sposób na ultraszybki zapis informacji
23 stycznia 2017, 12:19Polsko-holenderskiemu zespołowi fizyków udało się ominąć barierę w szybkości oraz wydajności zapisu informacji. Dzięki temu dane na dyskach komputerowych można będzie zapisywać tysiąc razy szybciej niż teraz, a w dodatku komputery będą bardziej energooszczędne.
Multiferroiczna pamięć działa w temperaturze pokojowej
23 grudnia 2014, 11:36Międzynarodowy zespół naukowy pracujący pod kierunkiem specjalistów z Cornell University stworzył działający w temperaturze pokojowej magneto-elektryczny układ pamięci. Urządzenia tego typu mogą w przyszłości posłużyć do wyprodukowania energooszczędnych urządzeń zawsze gotowych do pracy
Japońsko-amerykańska współpraca nad MRAM
25 listopada 2013, 09:13Japońskie i amerykańskie firmy będą wspólnie pracowały nad układami MRAM - magnetorezystywnymi pamięciami o swobodnym dostępie. Mają one w niedalekiej przyszłości zastąpić powszechnie używany DRAM
Napięcie udoskonala MeRAM
17 grudnia 2012, 11:02Inżynierowie z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Los Angeles (UCLA) zastąpili przepływ elektronów napięciem elektrycznym i dokonali w ten sposób znacznego udoskonalenia pamięci MeRAM (magnetoelektryczna pamięć o swobodnym dostępie). MeRAM może w przyszłości zastąpić obecnie stosowane technologie pamięci
Bardziej pojemny MRAM
18 stycznia 2010, 17:18Japończycy z Narodowego Insytutu Zaawansowanych Nauk Przemysłowych i Technologii (AIST) opracowali nowy element do magnetorezystancji tunelowej (TMR). Tego typu podzespoły są niezbędne do zwiększenia pojemności pamięci magnetorezystywnych (MRAM).
Niepokonane HDD
28 października 2009, 12:07Były wiceprezes ds. badawczych w Seagate Technology, profesor Mark Kryder z Carnegie Mellon Univeristy, założyciel Data Storage System Center oraz jego student Chang Soo Kim przeprowadzili studium nt. przyszłości technologii przechowywania danych. W jego ramach przebadali 13 nieulotnych technologii przechowywania informacji, które są postrzegane jako możliwi następcy dysków twardych (HDD).
Już nie swędzi
7 sierpnia 2009, 10:42Podczas eksperymentów na myszach w rdzeniu odnaleziono neurony odpowiedzialne wyłącznie za przekazywanie odczuć związanych ze swędzeniem. Naukowcy sądzą, że pomoże to w opracowaniu skuteczniejszych leków na choroby skóry, m.in. egzemę czy łuszczycę.
Kolosalny magnetoopór zapowiada rewolucję?
8 czerwca 2009, 11:06Teraz naukowcy z Carnegie Institution of Science są na tropie zjawiska nazwanego kolosalnym magnetooporem (CMR), które jest tysiące razy potężniejsze niż GMR i może zapowiadać kolejną rewolucję w informatyce. Występowanie CMR odkryto w manganitach, a prawdziwym wyzwaniem jest zrozumienie i kontrolowanie tego zjawiska.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Magnetyzm półprzewodników
28 listopada 2008, 20:23Specjaliści z amerykańskiego Narodowego Instytutu Standardów i Technologii (NIST) jako pierwsi na świecie udowodnili, że specjalnie skonstruowane urządzenie z półprzewodników wykazuje właściwości magnetyczne. Ich prace dają nadzieję na powstanie jeszcze mniejszych i bardziej wydajnych urządzeń elektronicznych, które będą zdolne do przechowywania danych w materiale półprzewodnikowym.
