Multiferroiczna pamięć działa w temperaturze pokojowej
23 grudnia 2014, 11:36Międzynarodowy zespół naukowy pracujący pod kierunkiem specjalistów z Cornell University stworzył działający w temperaturze pokojowej magneto-elektryczny układ pamięci. Urządzenia tego typu mogą w przyszłości posłużyć do wyprodukowania energooszczędnych urządzeń zawsze gotowych do pracy

Nadchodzi przełom? Polski sposób na ultraszybki zapis informacji
23 stycznia 2017, 12:19Polsko-holenderskiemu zespołowi fizyków udało się ominąć barierę w szybkości oraz wydajności zapisu informacji. Dzięki temu dane na dyskach komputerowych można będzie zapisywać tysiąc razy szybciej niż teraz, a w dodatku komputery będą bardziej energooszczędne.

Bardziej pojemny MRAM
18 stycznia 2010, 17:18Japończycy z Narodowego Insytutu Zaawansowanych Nauk Przemysłowych i Technologii (AIST) opracowali nowy element do magnetorezystancji tunelowej (TMR). Tego typu podzespoły są niezbędne do zwiększenia pojemności pamięci magnetorezystywnych (MRAM).

Magnetyzm półprzewodników
28 listopada 2008, 20:23Specjaliści z amerykańskiego Narodowego Instytutu Standardów i Technologii (NIST) jako pierwsi na świecie udowodnili, że specjalnie skonstruowane urządzenie z półprzewodników wykazuje właściwości magnetyczne. Ich prace dają nadzieję na powstanie jeszcze mniejszych i bardziej wydajnych urządzeń elektronicznych, które będą zdolne do przechowywania danych w materiale półprzewodnikowym.

Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
Kolosalny magnetoopór zapowiada rewolucję?
8 czerwca 2009, 11:06Teraz naukowcy z Carnegie Institution of Science są na tropie zjawiska nazwanego kolosalnym magnetooporem (CMR), które jest tysiące razy potężniejsze niż GMR i może zapowiadać kolejną rewolucję w informatyce. Występowanie CMR odkryto w manganitach, a prawdziwym wyzwaniem jest zrozumienie i kontrolowanie tego zjawiska.