Superszybka pamięć IBM-a
15 lutego 2007, 14:30Podczas International Solid State Circuits Conference (ISSCC) IBM pokazał najszybszą w historii kość pamięci. Dzięki zastosowaniu nowej technologii układ eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory) Błękitnego Giganta charakteryzuje się nie tylko najkrótszym czasem dostępu do danych, ale również ponadtrzykrotnie większą pojemnością niż analogiczne produkty konkurencji.
CISN - fotoniczny CMOS już w przyszłym roku
1 grudnia 2010, 12:53IBM zaprezentował technologię CMOS Integrated Silicon Nanophotonics (CISN) i zapowiedział, że już w przyszłym roku pojawią się układy scalone, które będą przesyłały dane za pomocą impulsów światła.
W Georgii powstał jednowarstwowy grafenowy półprzewodnik
5 stycznia 2024, 12:06Naukowcy z Georgia Institute of Technology stworzyli funkcjonalny półprzewodnik z grafenu, jednoatomowej warstwy węgla. Ich prace daje nadzieję na szerokie wykorzystanie tego materiału w elektronice. Grafen, pomimo niezwykle obiecujących właściwości, nie trafił do szerokiego użycia w podzespołach elektronicznych. Brak mu tzw. pasma wzbronionego, które umożliwia „włączanie” i „wyłączanie” prądu, a tym samym kodowanie informacji. Dotychczas udawało się uzyskać pasmo wzbronione w dwuwarstwowym grafenie. Specjaliści z Georgia Tech uzyskali w jednowarstwowym grafenie pasmo wzbronione o szerokości 0,6 eV.
Duży OLED Toshiby Matsushity
12 kwietnia 2007, 11:04Toshiba Matsushita Dispaly Technology Co. Ltd. pokazała największy z dotychczasowych wyświetlaczy LTPS OLED. Urządzenie o przekątnej 20,8 cala korzysta z technologii LTPS (low-temperature poly-silicon).
Dolina Krzemowa wychodzi z kryzysu
9 lutego 2012, 10:21Opublikowano Silicon Valley Index za rok 2012. To raport, który od 1995 roku ukazuje się corocznie w lutym. Można się z niego dowiedzieć, jak radzi sobie gospodarka i społeczność Doliny Krzemowej. Opisane są w nim bardzo różne instytucje, od szkół po wielkie koncerny.
TSV - lepsze połączenia między chipami
13 kwietnia 2007, 14:08IBM ma zamiar na masową skalę wykorzystywać nową technologię łączenia układów scalonych i ich części. Dzięki temu Błękitny Gigant chce poprawić ich wydajność i jednocześnie zmniejszyć pobór mocy.
Microsoft o HoloLens
27 maja 2016, 10:13Podczas Imec Technology Forum Microsoft zdradził nieco szczegółów na temat budowy HoloLens. Dowiedzieliśmy się, że najważniejszą jednostką urządzenia jest Holographic Processin Unit (HPU). To przedstawiciel coraz bardziej popularnej klasy wyspecjalizowanych akceleratorów
HHD działa bez Windows
12 października 2007, 11:02Firmy SST (Silicon Storage Technology), specjalizująca się w produkcji pamięci flash oraz Insyde Software, produkujące oprogramowanie dla UEFI, BIOS-u i urządzeń przemysłowych, opracowały bardzo interesującą technologię FlashMate. Pozwala ona odczytywać dane z hybrydowego dysku twardego bez konieczności włączania komputera.
Toshiba zapowiada 64-warstwowe 3D NAND
20 lipca 2016, 10:58Toshiba ogłosiła, że w trzecim kwartale bieżącego roku rozpocznie produkcję pierwszych 64-warstwowych układów 3D NAND. To wyzwanie rzucone Samsungowi, który podobne układy będzie produkował kwartał później.
Bardzo gęste flesze
13 grudnia 2007, 00:04O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta).
