Pierwsze 3D Vertical NAND

Samsung rozpoczął masową produkcję pierwszych układów 3D Vertical NAND (V-NAND). Nowe rozwiązanie pozwala na pokonanie ograniczeń skalowania pojemności obecnie wykorzystywanych NAND. Układy Samsunga pozwolą na zapisywanie do 128 gigabitów danych w pojedynczej kości. Stało się to możliwe dzięki wykorzystaniu zmodyfikowanej technologii Charge Trap Flash (CTF) oraz nowatorskiej technice pionowych połączeń poszczególnych warstw komórek pamięci.

Technologia CTF została opracowana przez Samsunga już w 2006 roku. Wykorzystuje ona nieprzewodzącą warstwę azotku krzemu, w której tymczasowo przechowywany jest ładunek elektryczny. To rozwiązanie alternatywne wobec zastosowania pływającej bramki zapobiega interferencji pomiędzy sąsiadującymi ze sobą komórkami pamięci. Dostosowanie CTF do wymogów architektury 3D znacznie zwiększyło stabilność pracy i szybkość układów pamięci.

Drugim niezwykle ważnym osiągnięciem jest opracowanie technologii pionowych połączeń, która pozwala na ułożenie na sobie do 24 warstw komórek pamięci.

Przedstawiciele Samsunga zapowiadają, że na rozpoczęciu masowej produkcji się nie kończy. Firma będzie prowadziła dalsze badania nad 3D V-NAND, dzięki czemu w przyszłości zaoferuje jeszcze bardziej wydajne i stabilne układy pamięci.

Obecnie wartość światowego rynku NAND jest szacowana na około 23,6 miliarda dolarów. Do roku 2016 ma wzrosnąć do 30,8 miliarda USD.

układ pamięci Vertical NAND Samsung