18-nanometrowe DRAM już w przyszłym roku
29 grudnia 2015, 10:37Samsung, Micron i SK Hynix rozpoczną w przyszłym roku produkcję układów DRAM w procesie 18 nanometrów. Samsung już zakończył prace nad procesem 1X-nano D-RAM i obecnie weryfikuje możliwości masowej produkcji w tej technologii
Intel szykuje rynkowy debiut Optane
20 listopada 2015, 11:02W przyszłym roku na rynek trafią pierwsze urządzenia korzystające z nowej intelowskiej technologii Optane. Urządzeniami tymi będą szybkie dyski SSD i układy pamięci DIMM.
Ambitne plany Tsinghua Unigroup
17 listopada 2015, 13:02Chińska państwowa firma Tsinghua Unigroup poinformowała, że chce stać się 3. największym na świecie producentem układów scalonych. Dyrektor Zhao Weiguo poinformował, że w ciągu najbliższych pięciu lat firma zainwestuje 300 miliardów juanów
Zdalny atak na układy DRAM
30 lipca 2015, 10:23Francuscy i austriaccy eksperci opublikowali dokument, w którym opisują, w jaki sposób można przeprowadzić zdalny atak na układy pamięci DRAM. Atak wykorzystuje znany od lat problem o nazwie "Rowhammer". Problem związany jest z gęstym upakowaniem komórek pamięci w układach DRAM, co powoduje, że są one niezwykle podatne na wewnętrzne zakłócenia
Nieulotna superpamięć
29 lipca 2015, 09:29Intel i Micron poinformowały o powstaniu technologii pamięci nieulotnej 3D Xpoint (3D Crosspoint). Pozwala ona na produkowanie układów pamięci, które działają 1000-krotnie szybciej od kości NAND. Na pojedynczej podstawce można zmieścić 128 gigabitów (16 gigabajtów)
Chińczycy chcą kupić Microna
14 lipca 2015, 08:32Chińska państwowa firma Tsinghua Unigroup chce kupić amerykańskiego Microna. Z nieoficjalnych doniesień wynika, że Chińczycy zaoferowali 23 miliardy dolarów.
Gwałtowny spadek cen DDR4
24 czerwca 2015, 11:05Na rynku hurtowym ma miejsce gwałtowny spadek cen układów DDR4. Główną przyczyną takiego stanu rzeczy jest strategia Samsunga, który chce zwiększyć swój udział w rynku
Materiały zmiennofazowe mogą zastąpić krzem
19 września 2014, 19:24Ograniczenia wielkości oraz prędkości współczesnych procesorów i układów pamięci można pokonać zastępując krzem materiałami zmiennofazowymi (PCM). Materiały takie są w stanie w ciągu miliardowych części sekundy zmieniać swoją strukturę pomiędzy przewodzącą krystaliczną a nieprzewodzącą amorficzną
Japońsko-amerykańska współpraca nad MRAM
25 listopada 2013, 09:13Japońskie i amerykańskie firmy będą wspólnie pracowały nad układami MRAM - magnetorezystywnymi pamięciami o swobodnym dostępie. Mają one w niedalekiej przyszłości zastąpić powszechnie używany DRAM
Odczyt z FeRAM bez niszczenia danych
14 czerwca 2013, 09:23Udało się rozwiązać jeden z największych problemów trapiących pamięc FeRAM. Opracowano metodę, która pozwala na odczytanie zawartości tych pamięci bez jej niszczenia.
