Kolosalny wzrost zysku SK Hynix
25 lipca 2017, 09:37Południowokoreański producent układów scalonych SK Hynix poinformował, że w drugim kwartale jego zysk netto zwiększył się aż 9-krotnie. Za świetne wyniki finansowe odpowiadała świetna sprzedaż chipów DRAM i NAND
Mały Hynix
5 grudnia 2006, 09:30Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.
80-nanometrowe DRAM-y
28 grudnia 2006, 11:49Samsung pokazał pierwsze pierwsze 1-gigabitowe układy DRAM wykonane w technologii 80 nanometrów. To kolejne osiągnięcie koreańskiej firmy na polu układów pamięci.
Rekordowe spadki na rynku półprzewodników
26 lutego 2009, 12:25Gartner przewiduje, że w bieżącym roku światowy przemysł półprzewodnikowy będzie świadkiem olbrzymich spadków przychodów. Kryzys gospodarczy spowoduje, że będą one znacznie niższe, niż prognozowano jeszcze w połowie grudnia.
Braidwood, główny wróg SSD?
7 września 2009, 09:43Gdy w 2006 roku Intel zaprezentował technologię Turbo Memory, rynek przyjął ją bardzo chłodno. Teraz o jej następcy, technologii Braidwood, mówi się, że może przyczynić się do upadku rynku dysków SSD.
Elpida wyprodukowała ReRAM
25 stycznia 2012, 09:39Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
Rosną zapasy DRAM
24 sierpnia 2012, 08:15Rosną zapasy układów DRAM w magazynach producentów pecetów. Przeciętny OEM dysponuje obecnie zapasami pozwalającymi zaspokoić 8-12 tygodni produkcji. Jeszcze niedawno zapasy wystarczały na 4-6 tygodni.
Apple uniezależnia się od Samsunga
7 września 2012, 12:21Korea Economic Daily, powołując się na anonimowe źródło twierdzi, że Apple usunęło Samsunga z listy dostawców układów pamięci dla iPhone’a 5. Zdaniem koreańskiej gazety przynajmniej początkowo Apple będzie zamawiało układy DRAM i NAND w Toshibie, Elpida Memory i SK Hynix.
Zdalny atak na układy DRAM
30 lipca 2015, 10:23Francuscy i austriaccy eksperci opublikowali dokument, w którym opisują, w jaki sposób można przeprowadzić zdalny atak na układy pamięci DRAM. Atak wykorzystuje znany od lat problem o nazwie "Rowhammer". Problem związany jest z gęstym upakowaniem komórek pamięci w układach DRAM, co powoduje, że są one niezwykle podatne na wewnętrzne zakłócenia
Pierwsza 3-bitowa pamięć zmiennofazowa
17 maja 2016, 12:00Naukowcy z IBM Research zaprezentowali pierwszy na świecie stabilny układ pamięci PCM (phase-change memory - pamięć zmiennofazowa), w którym można przechowywać 3 bity w komórce.
