
Chińczycy potrafią wyprodukować 32-warstwowy 3D NAND
15 listopada 2017, 11:44Chiński przemysł IT wciąż jest mniej zaawansowany niż zagraniczni konkurenci, ale jego przedstawiciele nie spoczywają na laurach. Firma Yangtze River Storage Technology, należąca do Tsinghua Unigroup poinformowała o stworzeniu 32-warstwowego układu 3D NAND

Wiemy, kto kupi Toshiba Memory
20 września 2017, 09:02Japońsko-amerykańsko-południowokoreańskie konsorcjum zostało wybrane przez Toshibę spośród chętnych do zakupu Toshiba Memory. Jak informuje agencja Kyodo, Toshiba kończy negocjacje z innymi oferentami i będzie rozmawiała tylko ze wspomnianym konsorcjum, które w ubiegłym tygodniu podpisało zobowiązanie do przeprowadzenia szybkich negocjacji.

Kolosalny wzrost zysku SK Hynix
25 lipca 2017, 09:37Południowokoreański producent układów scalonych SK Hynix poinformował, że w drugim kwartale jego zysk netto zwiększył się aż 9-krotnie. Za świetne wyniki finansowe odpowiadała świetna sprzedaż chipów DRAM i NAND

Toshiba sprzeda wydział produkcji NAND
4 kwietnia 2017, 11:44Po trudnym 3,5-godzinnym spotkaniu akcjonariusze Toshiby zgodzili się na wydzielenie z niej części odpowiedzialnej za produkcję układów pamięci NAND. Zostanie ona sprzedana, a zainteresowanie zgłosiło już ponad 10 potencjalnych kupców.

Ceny układów pamięci wciąż rosną
31 stycznia 2017, 10:56Osoby, które planują zakup układów pamięci, powinny się pospieszyć. Analitycy uważają, że ich ceny będą rosły. W ubiegłym roku ceny układów pamięci zwiększyły się o 26-31 procent i trend ten się utrzyma, gdyż istnieje duży popyt na tego typu układy.

18-nanometrowe DRAM już w przyszłym roku
29 grudnia 2015, 10:37Samsung, Micron i SK Hynix rozpoczną w przyszłym roku produkcję układów DRAM w procesie 18 nanometrów. Samsung już zakończył prace nad procesem 1X-nano D-RAM i obecnie weryfikuje możliwości masowej produkcji w tej technologii

Hynix odrzuca ofertę Tsinghua Unigroup
27 listopada 2015, 11:35Koreański producent układów pamięci, SK Hynix, odrzucił ofertę objęcia części udziałów przez chińską Tsinghua Unigroup. Chińczycy chcieli kupić 20% akcji Hyniksa za 5,3 miliarda dolarów, pod warunkiem jednak, że koreańska firma wybuduje w Chinach fabrykę układów NAND

Współpraca przy nanostemplowaniu
6 lutego 2015, 09:23Toshiba i SK Hynix podpisały umowę o współpracy przy rozwijaniu technik litografii wykorzystujących proces nanostemplowania (NIL – nano imprint litography). Inżynierowie obu przedsiębiorstw będą wspólnie od kwietnia bieżącego roku pracowali w laboratoriach Toshiby w Yokohama Complex
128 gigabajtów DDR4
7 kwietnia 2014, 16:27Firma SK Hynix poinformowała o powstaniu pierwszego 128-gigabajtowego modułu pamięci DDR4. Dotychczas na rynku były dostępne jedynie moduły o pojemności 64 gigabajtów.

Japońsko-amerykańska współpraca nad MRAM
25 listopada 2013, 09:13Japońskie i amerykańskie firmy będą wspólnie pracowały nad układami MRAM - magnetorezystywnymi pamięciami o swobodnym dostępie. Mają one w niedalekiej przyszłości zastąpić powszechnie używany DRAM