Bardziej gęste NAND-y
12 sierpnia 2009, 10:56Jeszcze w bieżącym roku Intel i Micron rozpoczną masową produkcję układów pamięci NAND, w których w każdej z komórek będą przechowywane trzy bity informacji. Obecnie pamięci NAND, wykorzystywane np. w telefonach komórkowych, odtwarzaczach MP3 czy klipsach USB, potrafią przechowywać 1-2 bity.
Chińczycy potrafią wyprodukować 32-warstwowy 3D NAND
15 listopada 2017, 11:44Chiński przemysł IT wciąż jest mniej zaawansowany niż zagraniczni konkurenci, ale jego przedstawiciele nie spoczywają na laurach. Firma Yangtze River Storage Technology, należąca do Tsinghua Unigroup poinformowała o stworzeniu 32-warstwowego układu 3D NAND
Pierwsze DDR2 1066 MHz
5 maja 2007, 08:04Micron jest autorem pierwszych 1-gigabitowych kości DDR2 standardowo współpracujących z zegarem 1066 MHz. Taki ruch nie tylko pozwoli przedłużyć rynkową obecność tego typu układów o rok lub więcej (trzeba pamiętać, że właśnie debiutują DDR3), ale zachęci też innych producentów układów pamięci do "podkręcenia" produktów Microna.
SSD z interfejsem SATA 600
4 grudnia 2009, 16:46Micron zaprezentował pierwszy w historii dysk SSD korzystający z interfejsu SATA 600. Co jednak zaskakujące, firma nie chwali się większą wydajnością pracy urządzenia, ale podkreśla, że jest ono bardziej oszczędne i stabilne niż inne dyski SSD.
Micron prezentuje 16-nanometrowe układy
16 lipca 2013, 17:33Firma Micron Technology poinformowała, że testuje 16-nanometrowy proces produkcyjny, który pozwala na tworzenie najmniejszych 128-gigabitowych układów NAND MLC (multi-level cell). Obecnie jest to najbardziej zminiaturyzowany proces produkcyjny wykorzystywany w elektronice.
Wojna cenowa na rynku SSD?
23 czerwca 2014, 09:38Dziennikarze serwisu DigiTimes twierdzą, że wkrótce może wybuchnąć wojna cenowa na rynku SSD. Główni gracze, Micron, Intel, Kingston, SanDisk i Samsung szukają sposobu na pokonanie konkurencji.
18-nanometrowe DRAM już w przyszłym roku
29 grudnia 2015, 10:37Samsung, Micron i SK Hynix rozpoczną w przyszłym roku produkcję układów DRAM w procesie 18 nanometrów. Samsung już zakończył prace nad procesem 1X-nano D-RAM i obecnie weryfikuje możliwości masowej produkcji w tej technologii
NAND gęstsze od HDD
9 lutego 2016, 12:24Po raz pierwszy w historii układy flash NAND charakteryzują się większą gęstością zapisu niż dyski HDD. Podczas 2016 IEEE International Solid State Circuits Conference Micron przedstawił dane, z których wynika, że w układach NAND można na tej samej powierzchni zapisać więcej danych niż w tradycyjnych HDD
Intel szykuje rynkowy debiut Optane
20 listopada 2015, 11:02W przyszłym roku na rynek trafią pierwsze urządzenia korzystające z nowej intelowskiej technologii Optane. Urządzeniami tymi będą szybkie dyski SSD i układy pamięci DIMM.
Toshiba zmniejszy produkcję układów flash
24 lipca 2012, 09:48Toshiba zapowiedziała zmniejszenie produkcji układów flash o 30%. To reakcja na nadprodukcję i związane z nią niskie ceny. Japońska firma zredukuje produkcję w fabryce Yokkaichi.