W USA powstaną kolejne fabryki półprzewodników. Pierwsze efekty CHIPS and Science Act
15 maja 2023, 08:15Amerykańska ustawa CHIPS and Science Act, która wywołała spory między USA a Unią Europejską, przynosi pierwsze efekty. Jej celem jest m.in. zachęcenie do budowy w USA nowych fabryk półprzewodników. Firmy mogą liczyć na ulgi podatkowe czy dopłaty. Przeznaczono na ten cel 39 miliardów USD i najwyraźniej zachęciło to gigantów. Micron zapowiedział, że zainwestuje do 100 miliardów dolarów w nową fabrykę w stanie Nowy Jork, TMSC – który buduje wartą 12 miliardów USD fabrykę w Arizonie – wybuduje drugi zakład, zwiększając wartość inwestycji do 40 miliardów, Samsung chce za 17 miliardów wybudować fabrykę w Teksasie, a Intel rozpoczął wartą 20 miliardów USD inwestycję w dwie fabryki w Ohio.
Ponad 100-godzinny rezonans magnetyczny zapewnił najbardziej jak dotąd szczegółowy obraz mózgu
9 lipca 2019, 10:54Dzięki ponad 100-godzinnemu skanowaniu w aparacie do rezonansu magnetycznemu uzyskano najbardziej jak dotąd szczegółowy obraz 3D ludzkiego mózgu. Naukowcy podkreślają, że rozdzielczość jest tak doskonała, że na obrazie można potencjalnie dostrzec obiekty o średnicy poniżej 0,1 mm. Wideo i dane są publicznie dostępne.
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD
Chińczycy potrafią wyprodukować 32-warstwowy 3D NAND
15 listopada 2017, 11:44Chiński przemysł IT wciąż jest mniej zaawansowany niż zagraniczni konkurenci, ale jego przedstawiciele nie spoczywają na laurach. Firma Yangtze River Storage Technology, należąca do Tsinghua Unigroup poinformowała o stworzeniu 32-warstwowego układu 3D NAND
NAND gęstsze od HDD
9 lutego 2016, 12:24Po raz pierwszy w historii układy flash NAND charakteryzują się większą gęstością zapisu niż dyski HDD. Podczas 2016 IEEE International Solid State Circuits Conference Micron przedstawił dane, z których wynika, że w układach NAND można na tej samej powierzchni zapisać więcej danych niż w tradycyjnych HDD
18-nanometrowe DRAM już w przyszłym roku
29 grudnia 2015, 10:37Samsung, Micron i SK Hynix rozpoczną w przyszłym roku produkcję układów DRAM w procesie 18 nanometrów. Samsung już zakończył prace nad procesem 1X-nano D-RAM i obecnie weryfikuje możliwości masowej produkcji w tej technologii
Hynix odrzuca ofertę Tsinghua Unigroup
27 listopada 2015, 11:35Koreański producent układów pamięci, SK Hynix, odrzucił ofertę objęcia części udziałów przez chińską Tsinghua Unigroup. Chińczycy chcieli kupić 20% akcji Hyniksa za 5,3 miliarda dolarów, pod warunkiem jednak, że koreańska firma wybuduje w Chinach fabrykę układów NAND
Intel szykuje rynkowy debiut Optane
20 listopada 2015, 11:02W przyszłym roku na rynek trafią pierwsze urządzenia korzystające z nowej intelowskiej technologii Optane. Urządzeniami tymi będą szybkie dyski SSD i układy pamięci DIMM.
Ambitne plany Tsinghua Unigroup
17 listopada 2015, 13:02Chińska państwowa firma Tsinghua Unigroup poinformowała, że chce stać się 3. największym na świecie producentem układów scalonych. Dyrektor Zhao Weiguo poinformował, że w ciągu najbliższych pięciu lat firma zainwestuje 300 miliardów juanów
Nieulotna superpamięć
29 lipca 2015, 09:29Intel i Micron poinformowały o powstaniu technologii pamięci nieulotnej 3D Xpoint (3D Crosspoint). Pozwala ona na produkowanie układów pamięci, które działają 1000-krotnie szybciej od kości NAND. Na pojedynczej podstawce można zmieścić 128 gigabitów (16 gigabajtów)
