„Niemożliwe” unipolarne impulsy laserowe sposobem na przetwarzanie kwantowej informacji
1 lipca 2022, 11:55„Niemożliwy” unipolarny (jednobiegunowy) laser zbudowany przez fizyków z University of Michigan i Universität Regensburg może posłużyć do manipulowania kwantową informacją, potencjalnie zbliżając nas do powstania komputera kwantowego pracującego w temperaturze pokojowej. Laser taki może też przyspieszyć tradycyjne komputery.
W Georgii powstał jednowarstwowy grafenowy półprzewodnik
5 stycznia 2024, 12:06Naukowcy z Georgia Institute of Technology stworzyli funkcjonalny półprzewodnik z grafenu, jednoatomowej warstwy węgla. Ich prace daje nadzieję na szerokie wykorzystanie tego materiału w elektronice. Grafen, pomimo niezwykle obiecujących właściwości, nie trafił do szerokiego użycia w podzespołach elektronicznych. Brak mu tzw. pasma wzbronionego, które umożliwia „włączanie” i „wyłączanie” prądu, a tym samym kodowanie informacji. Dotychczas udawało się uzyskać pasmo wzbronione w dwuwarstwowym grafenie. Specjaliści z Georgia Tech uzyskali w jednowarstwowym grafenie pasmo wzbronione o szerokości 0,6 eV.
Toshiba zapowiada 64-warstwowe 3D NAND
20 lipca 2016, 10:58Toshiba ogłosiła, że w trzecim kwartale bieżącego roku rozpocznie produkcję pierwszych 64-warstwowych układów 3D NAND. To wyzwanie rzucone Samsungowi, który podobne układy będzie produkował kwartał później.
Doskonalsze baterie atomowe
12 października 2009, 15:02Im mniejsze i bardziej wydajne stają się urządzenia elektroniczne, tym ważniejszą rolę mają do odegrania baterie. Prace nad stworzeniem wydajnego, lekkiego i taniego źródła zasilana prowadzone są w wielu ośrodkach naukowych. Na University of Missouri udoskonalono właśnie niewielkie wydajne baterie atomowe.
Coraz więcej zamówień na EUV
22 lipca 2016, 10:57ASML informuje o rosnącej liczbie zamówień na systemy do produkcji półprzewodników w technologii ekstremalnie dalekiego ultrafioletu (EUV). W ostatnim kwartale zamówiono 4 takie systemy, a ASLM spodziewa się, że w przyszłym roku sprzeda ich 12.
Selenek cynku udoskonali światłowody i lasery
26 lutego 2011, 13:20Profesor John Badding i jego zespół z Penn State University stworzyli pierwszy światłowód wykorzystujący selenek cynku. Materiał ten pozwala na bardziej efektywne i swobodne manipulowanie światłem. Wdrożenie nowej technologii umożliwi udoskonalenie laserów, czujników i światłowodów.
Cyklokarbon – nowa obiecująca forma węgla
20 sierpnia 2019, 05:23Przemysław Gaweł i jego koledzy z Uniwersytetu w Oksfordzie zsyntetyzowali pierwszą molekułę w kształcie pierścienia, zbudowaną z czystego węgla. Uczeni rozpoczęli od trójkątnej molekuły złożonej z węgla i tlenu, a następnie – manipulując nią za pomocą prądu elektrycznego – stworzyli 18-atomowy węglowy pierścień
Samoorganizujący się tranzystor organiczny
5 marca 2008, 17:54Naukowcy z National Institute of Standards and Technology (NIST), Penn State University i University of Kentucky opracowali technologię szybkiego i prostego wykorzystania organicznego półprzewodnika do tworzenia matryc wysoko wydajnych tranzystorów. Dzięki temu odkryciu w przyszłości mogą powstać duże, elastyczne układy elektroniczne.
'Rozszczepienie singletu' nadzieją fotowoltaiki
10 lipca 2014, 10:46Redakcja Journal of Physical Chemistry Letters wyróżniła artykuł dotyczący „rozszczepienia singletu”. To proces, w którym pojedynczy foton generuje parę stanów wzbudzonych. Praca autorstwa naukowców z University of California Riverside daje nadzieję na stworzenie ogniw fotowoltaicznych trzeciej generacji.
W USA powstaną kolejne fabryki półprzewodników. Pierwsze efekty CHIPS and Science Act
15 maja 2023, 08:15Amerykańska ustawa CHIPS and Science Act, która wywołała spory między USA a Unią Europejską, przynosi pierwsze efekty. Jej celem jest m.in. zachęcenie do budowy w USA nowych fabryk półprzewodników. Firmy mogą liczyć na ulgi podatkowe czy dopłaty. Przeznaczono na ten cel 39 miliardów USD i najwyraźniej zachęciło to gigantów. Micron zapowiedział, że zainwestuje do 100 miliardów dolarów w nową fabrykę w stanie Nowy Jork, TMSC – który buduje wartą 12 miliardów USD fabrykę w Arizonie – wybuduje drugi zakład, zwiększając wartość inwestycji do 40 miliardów, Samsung chce za 17 miliardów wybudować fabrykę w Teksasie, a Intel rozpoczął wartą 20 miliardów USD inwestycję w dwie fabryki w Ohio.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 …
