Hynix odrzuca ofertę Tsinghua Unigroup
27 listopada 2015, 11:35Koreański producent układów pamięci, SK Hynix, odrzucił ofertę objęcia części udziałów przez chińską Tsinghua Unigroup. Chińczycy chcieli kupić 20% akcji Hyniksa za 5,3 miliarda dolarów, pod warunkiem jednak, że koreańska firma wybuduje w Chinach fabrykę układów NAND
Grafenowy nadprzewodnik
2 września 2015, 12:58Grafen to bardzo dobry przewodnik, a eksperci na całym świecie starają się, by zachowywał się też jak półprzewodnik i zastąpił krzem w elektronice przyszłości. Teraz naukowcy z Kanady i Niemiec dowiedli, że domieszkowanie grafenu litem powoduje, że staje się on nadprzewodnikiem.
Nadchodzi azotek galu
29 lipca 2015, 12:23Nie grafen czy molibdenit, ale azotek galu (GaN) będzie prawdopodobnie tym materiałem, który w najbliższym czasie zastąpi krzem w roli podstawowego półprzewodnika. W 2013 roku amerykański Departament Energii przeznaczył niemal 70 milionów dolarów na badania nad GaN. Urzędnicy z DoE uzasadniali swoją decyzję tym, że wykorzystanie tego materiału może pomóc w zredukowaniu zapotrzebowania na energię
Intel nie widzi problemu
23 lutego 2015, 13:14Przedstawiciele Intela uważają, że Prawo Moore'a będzie obowiązywało jeszcze przez kilka kolejnych lat. Podczas zbliżającej się International Solid-State Circuits Conference zaprezentują oni kilka odczytów dotyczących przyszłego rozwoju półprzewodników. Już teraz zdradzili, że ich zdaniem technologia 7 nm (która ma zadebiutować w 2018 roku), nie będzie wymagała wykorzystania dalekiego ultrafioletu.
German zamiast krzemu
11 grudnia 2014, 11:47Purdue University ma na swoim koncie ważne osiągnięcie w historii rozwoju półprzewodników. To właśnie naukowcy z tej uczelni dostarczyli w 1947 roku bardzo ważny element pierwszego tranzystora – półprzewodnik z oczyszczonego germanu. Teraz specjaliści z tej samej uczelni stworzyli pierwszy układ elektroniczny (CMOS), w którym krzem zastąpiono germanem.
Fizycy odkryli nowy sposób na ruch elektronów
12 września 2014, 13:23Elektrony poruszające się w polu elektrycznym w przewodzącym je materiale podróżują po linii najmniejszego oporu, czyli równolegle do linii pola elektrycznego. Tymczasem naukowcy z MIT-u i University of Manchester odkryli, że elektrony w pewnych warunkach mogą poruszać się prostopadle do linii pola elektrycznego, co można wykorzystać do budowy niezwykle energooszczędnych tranzystorów i układów scalonych.
Kolejna inwestycja IBM-a
10 lipca 2014, 12:00IBM ma zamiar wydać w ciągu najbliższych pięciu lat 3 miliardy dolarów na prace badawczo-rozwojowe nad półprzewodnikami. Pieniądze zostaną przeznaczone na kilka programów badawczych.
'Rozszczepienie singletu' nadzieją fotowoltaiki
10 lipca 2014, 10:46Redakcja Journal of Physical Chemistry Letters wyróżniła artykuł dotyczący „rozszczepienia singletu”. To proces, w którym pojedynczy foton generuje parę stanów wzbudzonych. Praca autorstwa naukowców z University of California Riverside daje nadzieję na stworzenie ogniw fotowoltaicznych trzeciej generacji.
Chiny zainwestują w półprzewodniki
27 marca 2014, 06:58Chiński przemysł IT żyje plotką, wedle której władze centralne i lokalne mają zamiar zainwestować kolosalne kwoty w przemysł półprzewodnikowy. Plotka ma wiele wersji, w których pojawiają się kwoty od 20 do 200 miliardów dolarów.
Dropleton - nowa, wyjątkowa kwazicząstka
4 marca 2014, 10:38Dropleton, nowo odkryta kwazicząstka, to zbiór elektronów i dziur znajdujących się wewnątrz półprzewodnika. To jednocześnie pierwsza kwazicząstka zachowująca się jak ciecz
