Samsung prezentuje superszybkie układy pamięci
28 czerwca 2006, 09:26Samsung Electronics poinformował o zbudowaniu 2-gigabitowej kości flash OneNAND w technologii 60 nanometrów. Koncern twierdzi, że jest to najbardziej wydajny układ tego typu.
Intel o trójbramkowym tranzystorze
13 czerwca 2006, 07:32Intel poinformował, że jego trójbramkowy tranzystor będzie gotowy do produkcji w ciągu najbliższych lat i zostanie wykorzystany przy przejściu na 32- lub 22-nanometrowy proces produkcyjny.
